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GANB4R8-040CBAZ

GANB4R8-040CBAZ Nexperia USA Inc.

GANB4R8-040CBA.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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Technische Details GANB4R8-040CBAZ Nexperia USA Inc.

Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 13W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 40V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GANB4R8-040CBAZ GANB4R8-040CBAZ NEXPERIA 4247898.pdf Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZ GANB4R8-040CBAZ Nexperia GANB4R8-040CBA.pdf GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
auf Bestellung 4664 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.95 EUR
2500+1.69 EUR
5000+1.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZ GANB4R8-040CBAZ Nexperia USA Inc. GANB4R8-040CBA.pdf Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 3520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.7 EUR
10+3.69 EUR
100+2.55 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GANB4R8-040CBAZ GANB4R8-040CBAZ NEXPERIA 4247898.pdf Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
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Dauer-Drainstrom Id: 20A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
46+5.08 EUR
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.63 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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GANB4R8-040CBAZ 4247898.pdf
GANB4R8-040CBAZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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GANB4R8-040CBAZ GANB4R8-040CBA.pdf
GANB4R8-040CBAZ
Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
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AnzahlPrivatkunde
1+5.59 EUR
10+3.62 EUR
100+2.51 EUR
500+2.01 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GANB4R8-040CBA/SOT8086/WLCSP22
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 22-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 13W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 22-WLCSP (2.1x2.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 40V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 887 pF @ 20 V
auf Bestellung 3520 Stücke:
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GANB4R8-040CBAZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANB4R8-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 20 A, 15.8 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 15.8nC
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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30+8.4 EUR
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100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
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