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GANB8R0-040CBAZ

GANB8R0-040CBAZ Nexperia


GANB8R0-040CBA.pdf Hersteller: Nexperia
GaN FETs 40 V, 8.0 mOhm bi-directional Gallium Nitride (GaN) FET in a 1.7 mm x 1.7 mm Wafer Level Chip-Scale Package (WLCSP)
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Technische Details GANB8R0-040CBAZ Nexperia

Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V, Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA, Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): 6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GANB8R0-040CBAZ GANB8R0-040CBAZ Hersteller : NEXPERIA GANB8R0-040CBA.pdf Description: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: -
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 10.1nC
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1880 Stücke:
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GANB8R0-040CBAZ GANB8R0-040CBAZ Hersteller : NEXPERIA GANB8R0-040CBA.pdf Description: NEXPERIA - GANB8R0-040CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 14 A, 10.1 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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GANB8R0-040CBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB8R0-040CBA.pdf Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
auf Bestellung 250 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5
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GANB8R0-040CBAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. GANB8R0-040CBA.pdf Description: GANB8R0-040CBA/SOT8087/WLCSP16
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-UFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: 16-WLCSP (1.7x1.7)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 566 pF @ 20 V
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