GANE011-080CBAZ NEXPERIA
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE011-080CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 27 A, 0.011 ohm, 2.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.2nC
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.7 EUR |
| 59+ | 3.95 EUR |
| 100+ | 3.05 EUR |
| 500+ | 2.51 EUR |
| 1000+ | 2.33 EUR |
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Technische Details GANE011-080CBAZ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE011-080CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 27 A, 0.011 ohm, 2.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.2nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.