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GANE3R9-150QBAZ

GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.

GANE3R9-150QBA.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 25-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V
Power Dissipation (Max): 65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA
Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V
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Technische Details GANE3R9-150QBAZ Nexperia USA Inc.

Description: GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 25-PowerVFQFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 30A, 5V, Power Dissipation (Max): 65W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 12mA, Supplier Device Package: 25-VQFN (4x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 75 V.

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GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ Nexperia GANE3R9-150QBA.pdf GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
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GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA GANE3R9-150QBA.pdf Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Gate-Ladung, typ.: 20nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 25Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id: 100A
auf Bestellung 2254 Stücke:
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GANE3R9-150QBAZ GANE3R9-150QBAZ NEXPERIA GANE3R9-150QBA.pdf Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 20nC
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Bauform - Transistor: VQFN
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Hersteller: Nexperia
GaN FETs GANE3R9-150QBA/SOT8091/VQFN7
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GANE3R9-150QBAZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GANE3R9-150QBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 150 V, 100 A, 3900 µohm, 20 nC, VQFN, Oberflächenmontage
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Hersteller: NEXPERIA
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