GBI10M Diotec Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.74 EUR |
| 10+ | 1.17 EUR |
| 100+ | 0.81 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.59 EUR |
| 2500+ | 0.53 EUR |
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Technische Details GBI10M Diotec Semiconductor
Description: BRIDGE 1-PH GBI 1000V 10A 150DEG, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBI, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBI, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Weitere Produktangebote GBI10M nach Preis ab 0.46 EUR bis 2.20 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GBI10M | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
 GBI10M-DIO Flat single phase diode bridge rectif. |
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| GBI10M | Hersteller : Diotec Semiconductor |
Description: BRIDGE 1-PH GBI 1000V 10A 150DEG Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBI Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBI Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
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