GBJL25J Taiwan Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.61 EUR |
| 10+ | 6.68 EUR |
| 100+ | 6.12 EUR |
| 500+ | 5.09 EUR |
| 1200+ | 5.01 EUR |
| 2400+ | 4.82 EUR |
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Technische Details GBJL25J Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJL, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBJL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJL, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote GBJL25J
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
GBJL25J | SMC Diode Solutions |
 Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJLPackaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJL Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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| GBJL25J |
|
Hersteller: SMC Diode Solutions
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 25A GBJL
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJL
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJL
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 25 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A
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