
GBL06E-E3/P Vishay General Semiconductor
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Anzahl | Preis |
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1+ | 3.08 EUR |
10+ | 2.09 EUR |
100+ | 1.44 EUR |
500+ | 1.16 EUR |
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2000+ | 1.06 EUR |
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Technische Details GBL06E-E3/P Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBL, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBL, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBL, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote GBL06E-E3/P nach Preis ab 1.13 EUR bis 3.57 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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GBL06E-E3/P | Hersteller : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBL Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBL Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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