GBPC3506M Taiwan Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 7.34 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 100+ | 4.63 EUR |
| 200+ | 3.89 EUR |
| 500+ | 3.52 EUR |
| 1000+ | 3.22 EUR |
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Technische Details GBPC3506M Taiwan Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-M, Packaging: Tray, Package / Case: 4-Square, GBPC-M, Mounting Type: Chassis Mount, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-M, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 35 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Weitere Produktangebote GBPC3506M nach Preis ab 4.96 EUR bis 7.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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GBPC3506M | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
 Description: BRIDGE RECT 1P 600V 35A GBPC-MPackaging: Tray Package / Case: 4-Square, GBPC-M Mounting Type: Chassis Mount Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-M Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 35 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 17.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
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