GBU803 Taiwan Semiconductor
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Technische Details GBU803 Taiwan Semiconductor
Description: DIODE BRIDGE 8A 200V GBU, Packaging: Tube, Package / Case: 4-ESIP, GBU, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBU, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 8 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Weitere Produktangebote GBU803
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GBU803 | Hersteller : Taiwan Semiconductor |
 Diode Rectifier Bridge Single 200V 8A 4-Pin Case GBU |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GBU803 | Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE BRIDGE 8A 200V GBU Packaging: Tube Package / Case: 4-ESIP, GBU Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBU Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 8 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
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