Technische Details GC180N65F Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 37W, Case: TO220F, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 36nC, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote GC180N65F
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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GC180N65F | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GC180N65F | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Technology: SJ-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20A Power dissipation: 37W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of channel: enhancement |
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| GC180N65F |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
Description: MOSFET,N-CH,650V,20A,37W,TO-220F
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| GC180N65F |
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Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of channel: enhancement
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