GC20N65QD Goford Semiconductor


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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
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Technische Details GC20N65QD Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 151W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±30V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 39nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GC20N65QD GC20N65QD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65QD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
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GC20N65QD GC20N65QD.pdf
Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 39nC
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