Produkte > GOFORD SEMICONDUCTOR > GC20N65QD
GC20N65QD

GC20N65QD Goford Semiconductor

GC20N65QD.pdf
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO-247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+10.36 EUR
10+6.9 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GC20N65QD Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SJ-MOSFET, Power dissipation: 151W, Case: TO247, Mounting: THT, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, Gate-source voltage: ±30V, Gate charge: 39nC, Polarisation: unipolar.

Weitere Produktangebote GC20N65QD

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GC20N65QD GC20N65QD GOFORD SEMICONDUCTOR GC20N65QD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
GC20N65QD GC20N65QD.pdf
GC20N65QD
Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 151W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Power dissipation: 151W
Case: TO247
Mounting: THT
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 39nC
Polarisation: unipolar
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH