GCMX080A120B2H1P SemiQ
Hersteller: SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details GCMX080A120B2H1P SemiQ
Description: MOSFET 4N-CH 1200V 27A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 119W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1362pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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GCMX080A120B2H1P | SemiQ |
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| GCMX080A120B2H1P |
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Hersteller: SemiQ
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
MOSFET Modules SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 81.55 EUR |
| 10+ | 69.58 EUR |
| 100+ | 58.2 EUR |