GD150HFY120C1S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150HFY120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Dauer-Kollektorstrom: 230A
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 746W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 746W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
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DC-Kollektorstrom: 230A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Technische Details GD150HFY120C1S STARPOWER
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Weitere Produktangebote GD150HFY120C1S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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GD150HFY120C1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 24 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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GD150HFY120C1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 150A Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C1 34mm Max. off-state voltage: 1.2kV |
Produkt ist nicht verfügbar |