GD15PJX65F1S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 20A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module
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IGBT-Anschluss: Lötanschluss
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Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: Module
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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Technische Details GD15PJX65F1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJX65F1S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 20 A, 1.45 V, 95 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 20A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: Module, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote GD15PJX65F1S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| GD15PJX65F1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD15PJX65F1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 15A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Case: F1.1 Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Max. off-state voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V |
Produkt ist nicht verfügbar |