GD15PJY120F4S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 30A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD15PJY120F4S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD15PJY120F4S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 30 A, 1.7 V, 118 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 30A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 118W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD15PJY120F4S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| GD15PJY120F4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Case: F4.1 Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD15PJY120F4S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F4.1 Max. off-state voltage: 1.2kV Case: F4.1 Electrical mounting: Press-in PCB Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Mechanical mounting: screw Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Type of semiconductor module: IGBT |
Produkt ist nicht verfügbar |