GD1600SGX170C3S STARPOWER
Hersteller: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Dauerkollektorstrom: 1.6kA
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.6kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 978.29 EUR |
| 5+ | 890.24 EUR |
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Technische Details GD1600SGX170C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD1600SGX170C3S - IGBT-Modul, Einfach, 1.6 kA, 1.85 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 1.6kA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.6kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD1600SGX170C3S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| GD1600SGX170C3S | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor Topology: IGBT x2 Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 1.6kA Case: C3 130mm Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 3.2kA Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 8 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GD1600SGX170C3S |
Hersteller: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.6kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common gate; IGBT x2; screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: common gate; transistor/transistor
Topology: IGBT x2
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 1.6kA
Case: C3 130mm
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 3.2kA
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH

