GD200HFX65C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD200HFX65C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 1.45 V, 612 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 612W, Verlustleistung: 612W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 247A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 247A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.