GD75FFX170C6S STARPOWER
Hersteller: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD75FFX170C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 559W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 559W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 139A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD75FFX170C6S
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| GD75FFX170C6S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| GD75FFX170C6S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: C6 62mm Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
Produkt ist nicht verfügbar |