
GD75HFU120C1S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD75HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V
Dauer-Kollektorstrom: 150A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V
Verlustleistung Pd: 658W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 658W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 150A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GD75HFU120C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFU120C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 150 A, 3.1 V, 658 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT IGBT [Standard], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.1V, Dauer-Kollektorstrom: 150A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.1V, Verlustleistung Pd: 658W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 658W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 150A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GD75HFU120C1S
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GD75HFU120C1S | Hersteller : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD75HFU120C1S IGBT modules |
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