GL5506 Фоторезистор
Produktcode: 200840
Hersteller: Vceo, V: 150 V
Spektrum Pik, nm: 540 nm
Zusätzlich: Опір в темряві: 0,2 MOhm. Опір при освітленні 10 Lux: 2-5 kOhm. Максимальна напруга: 150 VDC. Максимальна потужність: 100 mW. Габарити: 5,1x4,3mm.
Тип: Фоторезистор
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| GL5516 5-10 кОм (10 Lux) Produktcode: 185007
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Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 150 V
Spektrum Pik, nm: 540 nm
Zusätzlich: Опір в темряві: 0,5 MOhm. Опір при освітленні 10 Lux: 5-10 kOhm. Максимальна напруга: 150 VDC. Максимальна потужність: 100 mW. Габарити: 5,1x4,3mm.
Тип: Фоторезистор
Vceo, V: 150 V
Spektrum Pik, nm: 540 nm
Zusätzlich: Опір в темряві: 0,5 MOhm. Опір при освітленні 10 Lux: 5-10 kOhm. Максимальна напруга: 150 VDC. Максимальна потужність: 100 mW. Габарити: 5,1x4,3mm.
Тип: Фоторезистор
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| TL072CDT Produktcode: 15997
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 |
Hersteller: ST
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: ±15 V
BW, MHz: 4 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 16 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Монтаж: SMD
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Vc, V: ±15 V
BW, MHz: 4 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 16 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Монтаж: SMD
auf Bestellung 718 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.19 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| PGM5506 Produktcode: 107658
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|
Hersteller: TOKEN
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrum Pik, nm: 540 nm
Zusätzlich: Потужність 90 мВт; Опір 2... 6 кОм; Темновий опір 0.15 МОм; Монтаж: THT
Тип: Фоторезистор
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Spektrum Pik, nm: 540 nm
Zusätzlich: Потужність 90 мВт; Опір 2... 6 кОм; Темновий опір 0.15 МОм; Монтаж: THT
Тип: Фоторезистор
auf Bestellung 72 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| PGM5616D Produktcode: 107663
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|
Hersteller: TOKEN
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 150 V
Spektrum Pik, nm: 560 nm
Zusätzlich: Потужність 100 мВт; Опір 5... 10 кОм; Темновий опір 1.0 МОм; Монтаж: THT
Тип: Фоторезистор
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 150 V
Spektrum Pik, nm: 560 nm
Zusätzlich: Потужність 100 мВт; Опір 5... 10 кОм; Темновий опір 1.0 МОм; Монтаж: THT
Тип: Фоторезистор
auf Bestellung 556 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| BD139 Produktcode: 191983
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|
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH