BD139 CJ
Produktcode: 191983
Hersteller: CJGehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 1115 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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BD139 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 4745 |
Hersteller : NXP |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: TO-126 fT: 190 MHz Uceo,V: 80 Ucbo,V: 80 Ic,A: 1,5 h21: 250 |
verfügbar: 16 Stück
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Frequency: 50MHz Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 25...250 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar |
auf Bestellung 4227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Frequency: 50MHz Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 25...250 Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4227 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier |
auf Bestellung 8988 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
auf Bestellung 2015 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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BD139 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 7267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 | Hersteller : JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | Hersteller : ST |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | Hersteller : ST |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| BD139 | Hersteller : CDIL |
NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) |
auf Bestellung 2883 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| BD139 |
BD139 Транзисторы |
auf Bestellung 994 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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| BD139 |
BD139 Транзисторы |
auf Bestellung 105 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BD139 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126 Frequency: 50MHz Case: TO126 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BD139 | Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126 Frequency: 50MHz Case: TO126 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1.5A Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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BD139 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mit diesem Produkt kaufen
| BD140 Produktcode: 15292 |
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Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1983 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.14 EUR |
| 10+ | 0.12 EUR |
| IRFZ44NPBF Produktcode: 35403 |
|
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 49
Rds(on), Ohm: 0.024
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
JHGF: THT
verfügbar: 1588 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.32 EUR |
| 10+ | 0.28 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 1N4007 Produktcode: 176822 |
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Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 38588 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| L7812CV Produktcode: 29158 |
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Hersteller: ST
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220
Uin, V: 35
Uout,V: 12
Iout,A: 1
Udrop, V: 1.7
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: 0…150
verfügbar: 2591 Stück
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.24 EUR |
| 10+ | 0.22 EUR |
| 100+ | 0.16 EUR |
| 1000+ | 0.14 EUR |
| 1N4148 Produktcode: 176824 |
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Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 6773 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)