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BD139 (Bipolartransistor NPN)

BD139 (Bipolartransistor NPN) NXP

cd00001225.pdf
Produktcode: 4745
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Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 7 St.:
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
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Möglichen Substitutionen BD139 (Bipolartransistor NPN) NXP

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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BD139 BD139
Produktcode: 191983
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Hersteller : CJ bd139.pdf BD135-D.PDF Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 654 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 18000 Stücke:
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2000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
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BD139 BD139 Hersteller : CDIL info-tbd13725.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD139 BD139 Hersteller : CDIL info-tbd13725.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 280 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667108 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
491+0.29 EUR
497+0.28 EUR
560+0.24 EUR
739+0.17 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.11 EUR
10000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 491
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 667108 Stücke:
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Anzahl Preis
495+0.29 EUR
559+0.25 EUR
737+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
2000+0.13 EUR
5000+0.12 EUR
10000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 495
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BD139 BD139 Hersteller : JSMicro Semiconductor TBD139_JSM_JSMICRO_0001.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
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100+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 BD139 Hersteller : ST info-tbd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 556 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 BD139 Hersteller : ST info-tbd139.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 BD139 Hersteller : CDIL BD135_39.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 2890 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 4196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
117+0.61 EUR
152+0.47 EUR
177+0.41 EUR
250+0.29 EUR
290+0.25 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.16 EUR
2000+0.15 EUR
4000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 117
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.01 EUR
10+0.46 EUR
100+0.4 EUR
500+0.31 EUR
2000+0.27 EUR
4000+0.22 EUR
10000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 12170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.55 EUR
50+1.21 EUR
100+1.08 EUR
500+0.85 EUR
1000+0.78 EUR
2000+0.71 EUR
5000+0.65 EUR
10000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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BD139 BD139 Hersteller : MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139 BD139 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 25337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139 Hersteller : JCET bd139.pdf BD135-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-126 (компл. BD140) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BD139 Hersteller : CJ bd139.pdf BD135-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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BD139 bd139.pdf BD135-D.PDF BD139 Транзисторы
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BD139 bd139.pdf BD135-D.PDF BD139 Транзисторы
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BD139 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC BD135,137,139.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics BD139-10-STMicroelectronics.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Produkt ist nicht verfügbar
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BD139 BD139 Hersteller : STM BD135-BD139.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32 (компл. BD140) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD139 BD139 Hersteller : onsemi bd139.pdf BD135-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 BD139 Hersteller : onsemi BD135-D.PDF Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD139 Hersteller : STMicroelectronics bd135-139_stm.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 1,25, Uceo, В = 80, Ic = 1,5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 40 @ 150 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мА, Тексп, °С = -65...+150,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-32-3 (TO-126-3) Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139 Hersteller : On Semiconductor bd139.pdf BD135-D.PDF NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, TO-225AA (компл. BD140) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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BD140
Produktcode: 15292
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1524 St.
104 St. - stock Köln
1420 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.14 EUR
10+0.12 EUR
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FR307
Produktcode: 24935
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description fr301-fr307_yj.pdf
FR307
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 3
Trr, ns: 500
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.07 EUR
10+0.064 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF520
Produktcode: 23704
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IRF520.pdf irf520.pdf
IRF520
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 100
Idd,A: 09.05.2015
Rds(on), Ohm: 0.27
Ciss, pF/Qg, nC: 01.10.350
JHGF: THT
verfügbar: 6 St.
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.45 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
TL074CN
Produktcode: 22415
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
TL074_A_B.pdf tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL074CN
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: ±18V
BW, MHz: 3
Vio, mV(Biasspannung): 3
Geschw. Nar., V/mks: 13
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: JFET INPUT Zahl Kanäle: 4
ZCODE: 4
Монтаж: THT
verfügbar: 42 St.
5 St. - stock Köln
37 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
10+0.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
4,7 kOhm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-4K7-Hitano)
Produktcode: 3446
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MOR_080911.pdf
4,7 kOhm 5% 2W Ausfuhr. (MOR200SJTB-4K7-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 2W
Resistenz: 4,7 kOhm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 2W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 11x4,0mm, DAusfuhr.=0,76mm
Typ: Metalloxid miniatur
-55...+125°C
№ 7: 8533210000
auf Bestellung 1171 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.035 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH