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BD139 (Bipolartransistor NPN)

BD139 (Bipolartransistor NPN) NXP

cd00001225.pdf
Produktcode: 4745
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar 7 Stück:
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BD139 BD139
Produktcode: 191983
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Hersteller : CJ bd139.pdf bd135-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
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Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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2000+0.18 EUR
10000+0.14 EUR
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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366+0.4 EUR
416+0.33 EUR
550+0.24 EUR
1000+0.19 EUR
2500+0.15 EUR
10000+0.12 EUR
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 1503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+0.59 EUR
162+0.44 EUR
191+0.38 EUR
278+0.26 EUR
323+0.22 EUR
468+0.15 EUR
496+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1503 Stücke:
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
auf Bestellung 466025 Stücke:
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166+0.87 EUR
367+0.38 EUR
417+0.32 EUR
551+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
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10000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 166
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf bd135-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
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3+0.95 EUR
10+0.43 EUR
100+0.38 EUR
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1000+0.26 EUR
2000+0.24 EUR
4000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
auf Bestellung 1314 Stücke:
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Anzahl Preis
19+0.95 EUR
50+0.43 EUR
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500+0.29 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139 BD139 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD139 BD139 Hersteller : MULTICOMP PRO 4161949.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Transistor NPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5472 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139 Hersteller : CDIL bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 BD139 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD139 Hersteller : JSMicro Semiconductor bd139.pdf bd135-d.pdf Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 Hersteller : ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 466 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 Hersteller : ST bd139.pdf bd135-d.pdf NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
100+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD139 Hersteller : CJ bd139.pdf bd135-d.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=40...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (компл. BD140)
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf BD139 Транзисторы
auf Bestellung 994 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 bd139.pdf bd135-d.pdf BD139 Транзисторы
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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BD139 Hersteller : JCET bd139.pdf bd135-d.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, 10Вт, SOT-32 (компл. BD140)
auf Bestellung 514 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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BD139 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D05C94C0540D6&compId=BD135%2C137%2C139.pdf?ci_sign=13474e8070fa254ce3979243962593ec4821d8f0 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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BD139 BD139 Hersteller : onsemi bd135-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD139 BD139 Hersteller : onsemi BD135_D-1802410.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D05C94C0540D6&compId=BD135%2C137%2C139.pdf?ci_sign=13474e8070fa254ce3979243962593ec4821d8f0 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; TO126
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Case: TO126
Mounting: THT
Frequency: 50MHz
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD139 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Produkt ist nicht verfügbar
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BD139 BD139 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 12.5W
Case: SOT32
Current gain: 25...250
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 50MHz
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BD140
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
verfügbar: 1604 Stück
104 Stück - stock Köln
1500 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 50 Stück
Anzahl Preis
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 26406 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD140-16
Produktcode: 188702
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description bd140.pdf
BD140-16
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80 V
U, V: 100 V
I, А: 1,5 A
auf Bestellung 94 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BD140-16
Produktcode: 39648
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description datasheet_nxp-bd140-16.pdf
BD140-16
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
auf Bestellung 430 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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