BD139 (Bipolartransistor NPN) (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD139 (Bipolartransistor NPN)

BD139 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 4745
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
BD135,137,139.pdf
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Technische Details BD139 (Bipolartransistor NPN)

Preis BD139 (Bipolartransistor NPN) ab 0.079 EUR bis 1.4 EUR

BD139
Hersteller: ST
NPN TRANSISTOR 80V 1,5A SOT32
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
50+ 0.13 EUR
BD139
Hersteller: CDIL
Material: BD139-CDI NPN THT transistors
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
329+ 0.22 EUR
560+ 0.13 EUR
623+ 0.11 EUR
705+ 0.1 EUR
857+ 0.084 EUR
906+ 0.079 EUR
BD139
Hersteller: CDIL
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Trans. BD139 TO126 CDIL TBD139cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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110+ 0.26 EUR
BD139
Hersteller: ST

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348+ 0.24 EUR
450+ 0.21 EUR
1900+ 0.19 EUR
4950+ 0.18 EUR
BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
462+ 0.28 EUR
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
NPN; Ptot, = 1,25; Uceo, = 80; Ic = 1,5 ; . = ; hFE = 40 @ 150 A, 2 ; Uceo(sat), @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 A, 500 ; , ° = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
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33+ 0.26 EUR
100+ 0.23 EUR
BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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76+ 0.37 EUR
BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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76+ 0.37 EUR
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD139 NPN THT transistors
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174+ 0.41 EUR
345+ 0.21 EUR
424+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
2000+ 0.13 EUR
BD139
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-32-3
Packaging: Tube
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
17+ 1.39 EUR
20+ 1.21 EUR
100+ 0.93 EUR
500+ 0.74 EUR
1000+ 0.61 EUR
BD139
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
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Lieferzeit 14-28 Tag (e)
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38+ 1.22 EUR
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500+ 0.74 EUR
BD139
BD139
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Product Range: -
Power Dissipation Pd: 1.25
DC Current Gain hFE: 40
Operating Temperature Max: 150
Transistor Mounting: Through Hole
MSL: -
Automotive Qualification Standard: -
DC Collector Current: 1.5
Transistor Case Style: TO-126
Transition Frequency ft: -
No. of Pins: 3
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
2307016.pdf 		1924 Stücke
BD139
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139
BD139
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD139 - Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Through Hole
Transistor Case Style: TO-126
Transistor Mounting: Through Hole
Operating Temperature Max: 150
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139
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BD139
Hersteller: ST
BD139(OXIDED)
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics NV
NPN, U=80V, I=1.5A, h21=25...250, 10, SOT-32 (. BD140)
bd135-d.pdf bd139.pdf 		auf Bestellung 190 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
BD139
BD139
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
BD135_D-2310428.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
bd135-d.pdf bd139.pdf 		Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
BD139
BD139
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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BD139
BD139
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
Supplier Device Package: TO-126
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
120 Stück - stock Köln
1115 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 21926 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024		 2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
146 Stück - stock Köln
2425 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3155 Stück - stock Köln
40701 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
2N5401
Produktcode: 4034		 2N5401.pdf
2N5401
Hersteller: Farchild Semiconductor
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.6
h21,max: 400
250 Stück - stock Köln
412 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 40874 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.03 EUR
10+ 0.028 EUR
100+ 0.024 EUR
10000+ 0.017 EUR