BD139 (Bipolartransistor NPN) (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN

BD139 (Bipolartransistor NPN)

BD139 (Bipolartransistor NPN)

Produktcode: 4745
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
BD135,137,139.pdf
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Technische Details BD139 (Bipolartransistor NPN)

Preis BD139 (Bipolartransistor NPN) ab 0.08 EUR bis 1.66 EUR

BD139
Hersteller: ST
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
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Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
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BD139
Hersteller: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 Trans. BD139 TO126 TBD139
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD139 NPN THT transistors
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BD139
BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-32-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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500+ 0.88 EUR
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BD139
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD139 NPN THT transistors
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139
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Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller:
BD139 NPN 1.5A 80V TO126 BipolarTransistor
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics NV
NPN, U=80V, I=1.5A, h21=25...250, 10, SOT-32 (. BD140)
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BD139
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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BD139
BD139
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W NPN
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
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BD139
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD139
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 1.5A TO225AA
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Part Status: Obsolete
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BD140
Produktcode: 15292		 BD136,138,140.pdf
BD140
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
120 Stück - stock Köln
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2000 Stück - erwartet 20.05.2022
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2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024		 2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
146 Stück - stock Köln
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1000 Stück - erwartet 20.05.2022
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1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574		 техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
19290 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
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100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
2N5401
Produktcode: 4034		 2N5401.pdf
2N5401
Hersteller: Farchild Semiconductor
Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150
U, V: 160
I, А: 0.6
h21,max: 400
250 Stück - stock Köln
auf Bestellung 38579 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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10+ 0.028 EUR
100+ 0.024 EUR
10000+ 0.017 EUR