BD140

BD140

Produktcode: 15292
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250

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Technische Details BD140

Preis BD140 ab 0.12 EUR bis 1.85 EUR

BD140
Hersteller: HOTTECH
PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Trans. BD140 TO126 CDIL/LGE TBD140cd
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD140 PNP THT transistors
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BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
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BD140
BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: SOT-32-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube
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17+ 1.62 EUR
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1000+ 0.81 EUR
BD140
BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
cd0000122.pdf
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD140 PNP THT transistors
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12791 Stücke
BD140
Hersteller:
BD140 Plastic medium power silicon PNP transistor
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BD140
Hersteller:
BD140
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BD140
Hersteller:
BD140 Plastic medium power silicon PNP transistor
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics NV
PNP, U=80V, I=1.5A (3 .), h21=25...250, 12.5, SOT-32
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BD140
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP
BD136G_D-2310396.pdf
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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
bd136-d.pdf bd139.pdf
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BD140
BD140
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP
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BD140
BD140
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
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BD140
BD140
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
BD135,137,139.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
55 Stück - stock Köln
3111 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
200 Stück - erwartet 31.05.2022
1+ 0.1 EUR
10+ 0.088 EUR
100+ 0.08 EUR
1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574
техническая информация 1N4001-1N4007.pdf
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090
3145 Stück - stock Köln
19246 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.35 EUR
10+ 0.1 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.011 EUR
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024
2N5551.pdf
2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250
146 Stück - stock Köln
1463 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1000 Stück - erwartet
1+ 0.04 EUR
10+ 0.032 EUR
100+ 0.03 EUR
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711
техническая информация 1n4148-datasheet.pdf
1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448
2752 Stück - stock Köln
8126 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1+ 0.3 EUR
10+ 0.25 EUR
100+ 0.05 EUR
1000+ 0.0062 EUR
Möglichen Substitutionen
1N4448
Produktcode: 20338