BD140 (NXP) - Transistoren - Bipolar-Transistoren PNP

BD140

Produktcode: 15292

Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250

verfügbar/auf Bestellung
120 Stück - stock Köln
228 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2000 Stück - erwartet

1+	0.14 EUR
10+	0.12 EUR

Technische Details BD140

Preis BD140 ab 0.12 EUR bis 1.85 EUR

BD140
Hersteller: HOTTECH
PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Trans. BD140 TO126 CDIL/LGE TBD140cd
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke

auf Bestellung 1000 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

139+	0.22 EUR

BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD140 PNP THT transistors

auf Bestellung 12791 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

270+	0.27 EUR
390+	0.18 EUR
438+	0.16 EUR
500+	0.15 EUR

BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 25 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.4 EUR

BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1900 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.4 EUR

BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 800 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.4 EUR

BD140
Hersteller: ST
PNP 1,5A 80V 12,5W BD139 Trans. BD140 TO126 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke

auf Bestellung 1250 Stücke
Lieferzeit 7-14 Tag (e)

75+	0.4 EUR

BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier

auf Bestellung 3845 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)

29+	1.8 EUR
33+	1.6 EUR
100+	1.23 EUR

BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: SOT-32-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Tube

auf Bestellung 1540 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

15+	1.85 EUR
17+	1.62 EUR
100+	1.24 EUR
500+	0.98 EUR
1000+	0.81 EUR

BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

5323 Stücke

BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Material: BD140 PNP THT transistors

12791 Stücke

BD140
Hersteller:
BD140 Plastic medium power silicon PNP transistor

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BD140
Hersteller:
BD140

auf Bestellung 82 Stücke
Lieferzeit 7-21 Tag (e)

BD140
Hersteller:
BD140 Plastic medium power silicon PNP transistor

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BD140
Hersteller: STMicroelectronics NV
PNP, U=80V, I=1.5A (3 .), h21=25...250, 12.5, SOT-32

auf Bestellung 1340 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

BD140
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP

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BD140
Hersteller: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube

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BD140
Hersteller: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP

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BD140
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)

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BD140
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO225AA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 1.25 W
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Supplier Device Package: TO-126
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V

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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745

Hersteller: NXP
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250

55 Stück - stock Köln
3111 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
200 Stück - erwartet 31.05.2022

1+	0.1 EUR
10+	0.088 EUR
100+	0.08 EUR

1N4007 Dioden Brücke
Produktcode: 1574

Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
№ 7: 8541100090

3145 Stück - stock Köln
19246 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

1+	0.35 EUR
10+	0.1 EUR
100+	0.05 EUR
1000+	0.011 EUR

2N5551 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 31024

Hersteller: Fairchild
Transistoren - Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160
Ucbo,V: 180
Ic,A: 0,6
h21: 250

146 Stück - stock Köln
1463 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1000 Stück - erwartet

1+	0.04 EUR
10+	0.032 EUR
100+	0.03 EUR

1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode
Produktcode: 7711

1N4148 Schaltdiode THT 100V 200mA 4ns Ultraschnell Universaldiode

Hersteller: YJ/Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden - Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100
Iav, A: 01.02.2000
Trr, ns: Schneller
Bemerkung: 1N4448

2752 Stück - stock Köln
8126 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

1+	0.3 EUR
10+	0.25 EUR
100+	0.05 EUR
1000+	0.0062 EUR

Möglichen Substitutionen

1N4448
Produktcode: 20338