BD140

BD140 NXP


BD136,138,140.pdf
Produktcode: 15292
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO-126
fT: 160 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1.5
h21,max: 250
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Current gain: 25...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: SOT32
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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160+0.91 EUR
325+0.43 EUR
372+0.36 EUR
502+0.26 EUR
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2500+0.15 EUR
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A SOT-32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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Anzahl Preis
18+1.02 EUR
50+0.46 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 18
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics bd139.pdf bd136-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
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3+1.03 EUR
10+0.46 EUR
100+0.41 EUR
500+0.31 EUR
1000+0.28 EUR
2000+0.25 EUR
4000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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BD140 BD140 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D0DA8D177A0D6&compId=BD136%2C138%2C140.pdf?ci_sign=74b308d30a2d2ed9d44499b7c5eedb0c3a347232 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; TO126
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126
Collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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65+1.1 EUR
100+0.72 EUR
180+0.4 EUR
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 BD140 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2307016.pdf Description: STMICROELECTRONICS - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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BD140 BD140 Hersteller : MULTICOMP PRO 2861461.pdf Description: MULTICOMP PRO - BD140 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Dauerkollektorstrom: 1.5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar Single PNP Transistors
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics cd0000122.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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BD140 Hersteller : ARK bd139.pdf bd136-d.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 150
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BD140 Hersteller : CDIL bd139.pdf bd136-d.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis
150+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 150
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BD140 Hersteller : JSMicro Semiconductor bd139.pdf bd136-d.pdf Transistor PNP; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD140-ST; BD140-CDI; BD140G; BD140 JSMICRO TBD140 JSM
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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Anzahl Preis
100+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD140 Hersteller : ST bd139.pdf bd136-d.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W BD139; BD140G; BD140 TBD140
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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100+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 100
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BD140 bd139.pdf bd136-d.pdf BD140 Транзисторы
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BD140 Hersteller : STMicroelectronics NV bd139.pdf bd136-d.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=1.5A, h21=25...250, Uce(sat)=0.5V, TO-126 (SOT-32)
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BD140 Hersteller : STMicroelectronics 5238.pdf Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
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КТ814g Transistor
Produktcode: 100953
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BD140 Hersteller : ARK bd139.pdf bd136-d.pdf PNP 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 REPLACEMENT: BD140-CDI; BD140-LGE; BD140 CDIL TBD140cd
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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КТ814g (92g)
Produktcode: 101794
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
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BD140 BD140 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0472188447BF1A6F5005056AB5A8F&compId=BD139-10-STMicroelectronics.pdf?ci_sign=6a8d1aea861bc39a3676cb4f48e95f2306074693 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Current gain: 25...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Kind of package: tube
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: SOT32
Power dissipation: 12.5W
Collector current: 1.5A
auf Bestellung 490 Stücke:
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105+0.69 EUR
159+0.45 EUR
178+0.4 EUR
226+0.32 EUR
249+0.29 EUR
455+0.16 EUR
481+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 105
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BD140 BD140 Hersteller : LUGUANG ELECTRONIC pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEA59D0DA8D177A0D6&compId=BD136%2C138%2C140.pdf?ci_sign=74b308d30a2d2ed9d44499b7c5eedb0c3a347232 Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; TO126
Current gain: 40...250
Collector-emitter voltage: 80V
Polarisation: bipolar
Frequency: 50MHz
Type of transistor: PNP
Mounting: THT
Case: TO126
Collector current: 1A
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65+1.1 EUR
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BD140 bd139.pdf bd136-d.pdf BD140 Транзисторы
auf Bestellung 95 Stücke:
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BD140 BD140 Hersteller : onsemi BD136G_D-1802824.pdf Bipolar Transistors - BJT 1.5A 80V 12.5W PNP
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BD140 BD140 Hersteller : onsemi bd136-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 1.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
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BD139
Produktcode: 191983
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bd139.pdf bd135-d.pdf
BD139
Hersteller: CJ
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 1,5 A
h21: 250
ZCODE: THT
auf Bestellung 729 Stück:
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BD139 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 4745
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cd00001225.pdf
BD139 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-126
fT: 190 MHz
Uceo,V: 80
Ucbo,V: 80
Ic,A: 1,5
h21: 250
ZCODE: THT
verfügbar: 7 Stück
Anzahl Preis
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10+0.088 EUR
100+0.08 EUR
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1N4007
Produktcode: 176822
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1N4001-ds.PDF
1N4007
Hersteller: MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 37776 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
auf Bestellung 28071 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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2N5551
Produktcode: 193606
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2N5551.pdf
2N5551
Hersteller: Hottech
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 1600 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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