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GNP2025TD-ZTR

GNP2025TD-ZTR ROHM


Hersteller: ROHM
Description: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 280 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+60.55 EUR
6+44.97 EUR
10+33.57 EUR
50+31.62 EUR
100+29.62 EUR
250+29.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Technische Details GNP2025TD-ZTR ROHM

Description: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 13.2nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).