GNP2130TEC-ZE2 ROHM Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 11.3 EUR |
| 10+ | 7.64 EUR |
| 100+ | 5.79 EUR |
| 1000+ | 5.24 EUR |
| 3500+ | 4.93 EUR |
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Technische Details GNP2130TEC-ZE2 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, Bauform - Transistor: DFN8080CK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote GNP2130TEC-ZE2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GNP2130TEC-ZE2 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 2.8nC Bauform - Transistor: DFN8080CK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |