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GNP2130TEC-ZE2

GNP2130TEC-ZE2 ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
GaN FETs GaN FETs 650V, 14.5A, 130m, Pd 91W
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Technische Details GNP2130TEC-ZE2 ROHM Semiconductor

Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.8nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN8080CK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm.

Weitere Produktangebote GNP2130TEC-ZE2 nach Preis ab 7.04 EUR bis 16.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GNP2130TEC-ZE2 GNP2130TEC-ZE2 ROHM Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
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GNP2130TEC-ZE2 GNP2130TEC-ZE2 ROHM Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
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Description: ROHM - GNP2130TEC-ZE2 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14.5 A, 0.182 ohm, 2.8 nC, DFN8080CK, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
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