GP3D012A065B SemiQ
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 12A
Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
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Technische Details GP3D012A065B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-247-2, Current - Average Rectified (Io): 12A, Capacitance @ Vr, F: 572pF @ 1V, 1MHz, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-2, Packaging: Tube.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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GP3D012A065B | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GP3D012A065B |
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Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 12A 650V TO-247-2
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