GP3D020A065B SemiQ
Hersteller: SemiQDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
auf Bestellung 121 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 10.28 EUR |
| 10+ | 8.63 EUR |
| 100+ | 6.98 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details GP3D020A065B SemiQ
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 835pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V.
Weitere Produktangebote GP3D020A065B nach Preis ab 7.23 EUR bis 14.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3D020A065B | Hersteller : SemiQ |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC Schottky Diode 20A 650V TO-247-2 |
auf Bestellung 64 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|