GP3D024A065U SemiQ
Hersteller: SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
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Technische Details GP3D024A065U SemiQ
Description: DIODE ARR SIC 650V 12A TO247-3, Supplier Device Package: TO-247-3, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 12A, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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GP3D024A065U | SemiQ |
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GP3D024A065U |
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Hersteller: SemiQ
SiC Schottky Diodes SiC Schottky Diode 24A 650V TO-247-3
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