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GS-065-018-2-L-TR

GS-065-018-2-L-TR Infineon Technologies

GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf Hersteller: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
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Technische Details GS-065-018-2-L-TR Infineon Technologies

Description: GS-065-018-2-L-TR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA, Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V.

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GS-065-018-2-L-TR GS-065-018-2-L-TR Hersteller : GaN Systems GS_065_018_2_L_DS_Rev_220921-3440100.pdf GaN FETs 650V, 18A, GaN E-mode, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
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GS-065-018-2-L-TR Hersteller : GaN Systems 650V, 18A, GaN E-HEMT, 8x8 PDFN, Bottom-side cooled
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GS-065-018-2-L-TR GS-065-018-2-L-TR Hersteller : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS-065-018-2-L-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 4.8mA
Supplier Device Package: 8-PDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 132 pF @ 400 V
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