GS0650112LMRXUSA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Technische Details GS0650112LMRXUSA1 INFINEON
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 2.2nC, Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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GS0650112LMRXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650112LMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 11 A, 0.195 ohm, 2.2 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650112LMRXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies | GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS |
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