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GS0650306LLMRXUMA1

GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies

Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
auf Bestellung 594 Stücke:
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10+12.48 EUR
100+9.54 EUR
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GS0650306LLMRXUMA1 GS0650306LLMRXUMA1 INFINEON Infineon-GS-065-030-6-LL-TR-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8e7ead30018ebd3e603d2dfc Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.67 EUR
14+16.98 EUR
17+12.77 EUR
50+11.83 EUR
100+10.86 EUR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+21.67 EUR
14+16.98 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
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GS0650306LLMRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 700V
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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12+21.67 EUR
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17+12.77 EUR
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GS0650306LLMRXUMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+21.67 EUR
14+16.98 EUR
17+12.77 EUR
50+11.83 EUR
100+10.86 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
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500+6.1 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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250+8.59 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
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auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+8.59 EUR
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66+10 EUR
100+9.37 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
250+10.16 EUR
Mindestbestellmenge: 250 Stücke
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