GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
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Technische Details GS0650306LLMRXUMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 6.7nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm.
Weitere Produktangebote GS0650306LLMRXUMA1 nach Preis ab 5.01 EUR bis 15.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: GAN POWER TRANSISTORPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA Supplier Device Package: TOLL Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V |
auf Bestellung 594 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 6.7nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
auf Bestellung 500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 | Infineon Technologies |
GS-065-030-6-LL-MR |
auf Bestellung 177 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 400 V
Description: GAN POWER TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
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Supplier Device Package: TOLL
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 6 V
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 15.28 EUR |
| 10+ | 10.49 EUR |
| 100+ | 8.02 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Ladung, typ.: 6.7nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
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| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: INFINEON - GS0650306LLMRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 40 A, 0.058 ohm, 6.7 nC, TOLL, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 138 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 5.31 EUR |
| 500+ | 5.13 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 5.31 EUR |
| 500+ | 5.01 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 7.22 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 7.22 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
GS-065-030-6-LL-MR
GS-065-030-6-LL-MR
auf Bestellung 177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 66+ | 8.4 EUR |
| 100+ | 7.87 EUR |
| GS0650306LLMRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 8.54 EUR |


