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GS61008P-MR

GS61008P-MR GaN Systems Inc

gs61008p-ds-rev-200402.pdf Hersteller: GaN Systems Inc
Bottom-side cooled 100 V E-mode GaN transistor
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Technische Details GS61008P-MR GaN Systems Inc

MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled.

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GS61008P-MR GS61008P-MR Hersteller : GaN Systems GS61008P_DS_Rev_200402-2255876.pdf MOSFET 100V, 90A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
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