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GS61008TMRXUSA1

GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies

Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS61008T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
250+7.72 EUR
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Technische Details GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote GS61008TMRXUSA1 nach Preis ab 9.23 EUR bis 16.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: GS61008T-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1217 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.73 EUR
10+11.48 EUR
100+9.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 8nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GS61008TMRXUSA1 GS61008TMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS61008T-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5160eb52522a Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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GS61008TMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS61008T-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 1217 Stücke:
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GS61008TMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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GS61008TMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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