GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: GS61008T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 250+ | 6.49 EUR |
| 500+ | 6.34 EUR |
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Technische Details GS61008TMRXUSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 8nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote GS61008TMRXUSA1 nach Preis ab 7.76 EUR bis 14.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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GS61008TMRXUSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: GS61008T-MR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 27A, 6V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 7mA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V Vgs (Max): +7V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 6 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 50 V |
auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GS61008TMRXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Gate-Ladung, typ.: 8nC Bauform - Transistor: GaNPX Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GS61008TMRXUSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - GS61008TMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 90 A, 9500 µohm, 8 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |