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GS66504B-MR

GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Hersteller: Infineon Technologies Canada Inc.
Description: GS66504B-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
auf Bestellung 250 Stücke:
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250+14.48 EUR
Mindestbestellmenge: 250
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Technische Details GS66504B-MR Infineon Technologies Canada Inc.

Description: GS66504B-MR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs (Max): +7V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V.

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GS66504B-MR GS66504B-MR Hersteller : Infineon Technologies GS66504B_DS_Rev_200402-3440133.pdf GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
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GS66504B-MR GS66504B-MR Hersteller : Infineon Technologies Canada Inc. Description: GS66504B-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.5A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 3.5mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 400 V
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10+18.26 EUR
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GS66504B-MR GS66504B-MR Hersteller : GaN Systems GS66504B_DS_Rev_200402-3440133.pdf GaN FETs 650V, 15A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
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250+21.75 EUR
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GS66504B-MR Hersteller : GaN Systems Inc GAN POWER TRANSISTOR
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GS66504B-MR Hersteller : GaN Systems Inc GAN POWER TRANSISTOR
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Mindestbestellmenge: 250
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GS66504B-MR GS66504B-MR Hersteller : GaN Systems gs66504b-ds-rev-200402.pdf Bottom Side Cooled 650 V E-mode GaN Transistor
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