GS66508BTRXUMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 6.1nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 74.38 EUR |
| 5+ | 58.01 EUR |
| 10+ | 45.57 EUR |
| 50+ | 41.07 EUR |
| 100+ | 36.28 EUR |
| 250+ | 35.56 EUR |
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Technische Details GS66508BTRXUMA1 INFINEON
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Weitere Produktangebote GS66508BTRXUMA1 nach Preis ab 35.56 EUR bis 74.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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GS66508BTRXUMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 1148 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GS66508BTRXUMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66508BTRXUMA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 1148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 74.38 EUR |
| 5+ | 58.01 EUR |
| 10+ | 45.57 EUR |
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| 100+ | 36.28 EUR |
| 250+ | 35.56 EUR |