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GS66516BMRXUSA1

GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies

Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516B-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 500 Stücke:
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Technische Details GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 14.2nC, Bauform - Transistor: GaNPX, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 Infineon Technologies Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
auf Bestellung 735 Stücke:
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1+64.63 EUR
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GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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GS66516BMRXUSA1 GS66516BMRXUSA1 INFINEON Infineon-GS66516B-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8d2fe47b018e5161cfda53e6 Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+113.7 EUR
5+90.62 EUR
10+69.81 EUR
50+68.41 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+67.72 EUR
25+62.23 EUR
50+55.75 EUR
100+52.65 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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GS66516BMRXUSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
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usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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10+69.81 EUR
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GS66516BMRXUSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 62 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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3+113.7 EUR
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5+77.4 EUR
10+67.72 EUR
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