GT025N06AQ Goford Semiconductor
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Technische Details GT025N06AQ Goford Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 175A, Power dissipation: 220W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 70nC.
Weitere Produktangebote GT025N06AQ nach Preis ab 4.68 EUR bis 7.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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GT025N06AQ | Goford Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M |
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| GT025N06AQ |
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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
Description: MOSFET N-CH 60V 175A 220W 2.5M(M
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.16 EUR |
| 10+ | 4.68 EUR |