GT025N06AQ Goford Semiconductor


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Hersteller: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,60V,175A,220W,TO-247
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Technische Details GT025N06AQ Goford Semiconductor

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 175A, Power dissipation: 220W, Case: TO247, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Gate charge: 70nC, Kind of channel: enhancement, Technology: SGT.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT025N06AQ GOFORD SEMICONDUCTOR GT025N06AQ.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
Technology: SGT
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GT025N06AQ GT025N06AQ.pdf
Hersteller: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 60V; 175A; 220W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 175A
Power dissipation: 220W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of channel: enhancement
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