GT1003D Goford Semiconductor
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<130M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 212 pF @ 50 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 0.75 EUR |
| 45+ | 0.46 EUR |
| 100+ | 0.3 EUR |
| 500+ | 0.21 EUR |
| 1000+ | 0.19 EUR |
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Technische Details GT1003D Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 3A SOT-23-3L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.
Weitere Produktangebote GT1003D nach Preis ab 0.092 EUR bis 0.092 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GT1003D | GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT1003D |
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Hersteller: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.092 EUR |