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GT20J341,S4X(S

GT20J341,S4X(S Toshiba

21gt20j341_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 45W 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
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Technische Details GT20J341,S4X(S Toshiba

Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 90 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220SIS, Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns, Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off), Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 45 W.

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GT20J341,S4X(S Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage GT20J341_datasheet_en_20140107.pdf?did=12743&prodName=GT20J341 Description: DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220SIS
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/240ns
Switching Energy: 500µJ (on), 400µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 45 W
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GT20J341,S4X(S GT20J341,S4X(S Hersteller : Toshiba GT20J341_datasheet_en_20140107-1649844.pdf IGBTs DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220SIS MOQ=50 V=1.5 IC=20A
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