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GT20N135SRA,S1E(S

GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA


Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 312W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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Technische Details GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, rohsCompliant: YES, Verlustleistung: 312W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), euEccn: NLR, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, usEccn: EAR99.

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GT20N135SRA,S1E(S Hersteller : Toshiba GT20N135SRA,S1E(S
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GT20N135SRA,S1E(S Hersteller : Toshiba IGBT for soft switching applications / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
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