GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 312W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GT20N135SRA,S1E(S nach Preis ab 3.32 EUR bis 5.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : TOSHIBA |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT Type of transistor: IGBT |
auf Bestellung 12210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : Toshiba | GT20N135SRA,S1E(S |
auf Bestellung 95 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : Toshiba | IGBT for soft switching applications / Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
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