GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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Technische Details GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 312W, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote GT20N135SRA,S1E(S nach Preis ab 2.67 EUR bis 3.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : Toshiba |
 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
auf Bestellung 88 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : Toshiba |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
auf Bestellung 32850 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| GT20N135SRA,S1E(S | Hersteller : Toshiba |
Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT |
auf Bestellung 32880 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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