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GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA



Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
Verlustleistung: 312W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24+10.65 EUR
Mindestbestellmenge: 24 Stücke
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Technische Details GT20N135SRA,S1E(S TOSHIBA

Description: TOSHIBA - GT20N135SRA,S1E(S - IGBT, 40 A, 2 V, 312 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V, Verlustleistung: 312W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-247, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT20N135SRA,S1E(S Toshiba gt20n135sra_datasheet_en_20240417.pdf Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
47+3.72 EUR
50+3.53 EUR
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auf Bestellung 32850 Stücke:
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450+4.32 EUR
3000+4.21 EUR
6000+4.09 EUR
9000+3.96 EUR
12000+3.87 EUR
15000+3.78 EUR
30000+3.65 EUR
Mindestbestellmenge: 450 Stücke
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GT20N135SRA,S1E(S Toshiba gt20n135sra_datasheet_en_20240417.pdf Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT
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12000+3.59 EUR
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12000+3.59 EUR
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