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Technische Details GT20N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 700µJ (off), Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 185 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 312 W.
Weitere Produktangebote GT20N135SRA,S1E nach Preis ab 4.4 EUR bis 5.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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GT20N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 40A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 700µJ (off) Test Condition: 300V, 40A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 185 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 312 W |
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GT20N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 40A 312W 3-Pin(3+Tab) TO-247 T/R |
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