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Technische Details GT30N135SRA,S1E Toshiba
Description: IGBT 1350V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Weitere Produktangebote GT30N135SRA,S1E nach Preis ab 4.76 EUR bis 6.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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GT30N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 60A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247 Switching Energy: -, 1.3mJ (off) Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V Gate Charge: 270 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 348 W |
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GT30N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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