GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: IGBT 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 270 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 348 W
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 6.44 EUR |
| 10+ | 4.88 EUR |
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Technische Details GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1350V 60A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247, Switching Energy: -, 1.3mJ (off), Test Condition: 300V, 60A, 39Ohm, 15V, Gate Charge: 270 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 348 W.
Weitere Produktangebote GT30N135SRA,S1E nach Preis ab 3.73 EUR bis 6.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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GT30N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba |
IGBTs 1350V DISCRETE IGBT TRANS |
auf Bestellung 3428 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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GT30N135SRA,S1E | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 348W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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