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GT40WR21,Q(O

GT40WR21,Q(O Toshiba


18865846988098611886584347043851gt40wr21_datasheet_en_20180423.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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Technische Details GT40WR21,Q(O Toshiba

Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O Hersteller : TOSHIBA GT40WR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO3PN
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GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O Hersteller : TOSHIBA GT40WR21.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Turn-on time: 950ns
Turn-off time: 570ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 375W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO3PN
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GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O Hersteller : TOSHIBA TOSC-S-A0001057108-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 233 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
GT40WR21,Q(O GT40WR21,Q(O Hersteller : Toshiba 18865846988098611886584347043851gt40wr21_datasheet_en_20180423.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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