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Technische Details GT40WR21,Q(O Toshiba
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, Verlustleistung: 375W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 40A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 175°C.
Weitere Produktangebote GT40WR21,Q(O nach Preis ab 13.93 EUR bis 17.61 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN Kind of package: tube Case: TO3PN Turn-off time: 570ns Turn-on time: 950ns Power dissipation: 375W Gate-emitter voltage: ±25V Collector current: 40A Pulsed collector current: 80A Collector-emitter voltage: 1.8kV Mounting: THT Type of transistor: IGBT Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
auf Bestellung 82 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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GT40WR21,Q(O | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V Verlustleistung: 375W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 40A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C |
auf Bestellung 145 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| GT40WR21,Q(O |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Turn-off time: 570ns
Turn-on time: 950ns
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.8kV; 40A; 375W; TO3PN
Kind of package: tube
Case: TO3PN
Turn-off time: 570ns
Turn-on time: 950ns
Power dissipation: 375W
Gate-emitter voltage: ±25V
Collector current: 40A
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 1.8kV
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 17.61 EUR |
| 6+ | 15.78 EUR |
| 25+ | 13.93 EUR |
| GT40WR21,Q(O |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Description: TOSHIBA - GT40WR21,Q(O - IGBT, 40 A, 2.9 V, 375 W, 1.8 kV, TO-3P, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-3P
Dauerkollektorstrom: 40A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.8kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)