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Technische Details GT40WR21,Q Toshiba
Description: IGBT 1350V 40A TO-3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 40 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote GT40WR21,Q nach Preis ab 11.92 EUR bis 17.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||
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GT40WR21,Q | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: IGBT 1350V 40A TO-3PPackaging: Tray Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 5.9V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-3P(N) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A Power - Max: 375 W |
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GT40WR21,Q | Hersteller : Toshiba |
Trans IGBT Chip N-CH 1800V 40A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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