GT50JR21(STA1,E,S)

GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage


GT50JR21_datasheet_en_20140107.pdf?did=13656&prodName=GT50JR21 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 600V 50A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 230 W
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Technische Details GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 600V, Collector current: 49A, Power dissipation: 230W, Case: TO3PN, Gate-emitter voltage: ±25V, Pulsed collector current: 100A, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-on time: 430ns, Turn-off time: 720ns, Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Hersteller : Toshiba GT50JR21_datasheet_en_20140107-1649919.pdf IGBTs Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN(OS) Ic=50A V=600 F=60HZ
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GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Hersteller : Toshiba 71gt50jr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Hersteller : Toshiba 71gt50jr21_datasheet_en_20140107.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
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GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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GT50JR21(STA1,E,S) GT50JR21(STA1,E,S) Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EB3034F8F3418BF&compId=GT50JR21.pdf?ci_sign=cc4104a019b2b81086958d0047bd6d8d23b27aef Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 49A; 230W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 49A
Power dissipation: 230W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 430ns
Turn-off time: 720ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
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