Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > GT50N322A
GT50N322A

GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage

GT50N322A_datasheet_en_20080111.pdf?did=11080&prodName=GT50N322A Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: IGBT 1000V 50A TO3P
Packaging: Tray
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 800 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-3P(N)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 156 W
auf Bestellung 97 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+11.23 EUR
10+ 9.44 EUR
50+ 8.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details GT50N322A Toshiba Semiconductor and Storage

Description: IGBT 1000V 50A TO3P, Packaging: Tray, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 800 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-3P(N), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 156 W.

Weitere Produktangebote GT50N322A nach Preis ab 5.8 EUR bis 11.34 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
GT50N322A GT50N322A Hersteller : Toshiba GT50N322A_datasheet_en_20080111-1649939.pdf IGBT Transistors Pb-F IGBT / TRANSISTOR TO-3PN Ic=50A Vces=600V
auf Bestellung 181 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+11.34 EUR
10+ 9.52 EUR
50+ 7.93 EUR
100+ 7.12 EUR
250+ 6.86 EUR
500+ 6.45 EUR
1000+ 5.8 EUR
Mindestbestellmenge: 5
GT50N322A GT50N322A Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1000V 50A 156W 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
Produkt ist nicht verfügbar