GT52N10D5 Goford Semiconductor


GT52N10D5.pdf
Hersteller: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
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Technische Details GT52N10D5 Goford Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SGT; unipolar; 100V; 71A; 100W; DFN5x6-8, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 71A, Power dissipation: 100W, Case: DFN5x6-8, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 50nC.

Weitere Produktangebote GT52N10D5 nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
GT52N10D5 GT52N10D5 Goford Semiconductor GT52N10D5.pdf Description: N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
500+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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GT52N10D5 GOFORD Semiconductor GT52N10D5.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5000+0.8 EUR
15000+0.73 EUR
30000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 50 V
auf Bestellung 5759 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.86 EUR
10+2.46 EUR
50+1.86 EUR
100+1.67 EUR
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
auf Bestellung 40000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5000+0.8 EUR
15000+0.73 EUR
30000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5000 Stücke
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