H57V2562GTR-75C HYNIX
Hersteller: HYNIX
Synchronous DRAM, 256Mbit (4M x 16bit x 4 banks), 133MHz, 3.3V, 0?70°C Replacement: K4S561632H-UC75, EDS2516AFTA-75-E, MT48LC16M16A2P-75:D. H57V2562GTR-75C PSD0256/16/133
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Technische Details H57V2562GTR-75C HYNIX
Description: HYNIX SEMICONDUCTOR - H57V2562GTR-75C - DRAM, SDRAM, 256 Mbit, 16M x 16 bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s), DRAM-Ausführung: SDRAM, Bauform - Speicherbaustein: TSOP-II, DRAM-Dichte: 256, Zugriffszeit: 6, Versorgungsspannung, nom.: 3.3, IC-Schnittstelle: LVTTL, Betriebstemperatur, min.: 0, Taktfrequenz: 133, Anzahl der Pins: 54, Produktpalette: H57V, Betriebstemperatur, max.: 70, Speicherkonfiguration DRAM: 16M x 16 bit, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| H57V2562GTR75C | HYNIX |
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| H57V2562GTR75C |
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