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HAS175M12BM3

HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.

Wolfspeed_HAS175M12BM3_data_sheet.pdf
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
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Technische Details HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Technology: Silicon Carbide (SiC), Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
HAS175M12BM3 HAS175M12BM3 Wolfspeed Wolfspeed_HAS175M12BM3_data_sheet.pdf Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
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HAS175M12BM3 Wolfspeed_HAS175M12BM3_data_sheet.pdf
HAS175M12BM3
Hersteller: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
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