HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Hersteller: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
| Anzahl | Privatkunde |
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Technische Details HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Weitere Produktangebote HAS175M12BM3 nach Preis ab 581.42 EUR bis 733.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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HAS175M12BM3 | Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| HAS175M12BM3 |
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Hersteller: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 1+ | 733.72 EUR |
| 10+ | 581.42 EUR |