HAS350M12BM3 Wolfspeed
Hersteller: WolfspeedDiscrete Semiconductor Modules SiC, Module, 350A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
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Technische Details HAS350M12BM3 Wolfspeed
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Weitere Produktangebote HAS350M12BM3 nach Preis ab 1640.57 EUR bis 1640.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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HAS350M12BM3 | Hersteller : Wolfspeed, Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 350A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Technology: Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A FET Feature: Silicon Carbide (SiC) |
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